Факультет радиофизики и компьютерных технологий

Родилась 11 марта 1950 г.

С 1967 по 1972 студентка химического факультета БГУ.

С 1972 по 1976 ст. инженер НПО «Интеграл», с 1976 по 1986 – мл. науч. сотр. Института электроники НАН Беларуси, с 1986 по 1992 – науч. сотр., ст. науч. сотр. Минского НИИ радиоматериалов, с 1993 – ст. науч. сотр., зав. НИЛ кафедры физической электроники и нанотехнологий. В 1995 г. защитила кандидатскую диссертацию по специальности «Физика твердого тела» на тему ”Анализ структурных дефектов в GaAs, выращенном по методу Чохральского, и эпитаксиальных копозициях на его основе”

Специалист в области физики твердого тела, технологий микро- и наноэлектроники.

Участвует в программах совместных исследований с Российским национальным центром «Курчатовский институт» (Москва, Россия), Йенским университетом (Йена, Германия), Казахским национальным университетом им. аль-Фараби (Алматы, Казахстан).

Опыт исследований

• селективное травление дефектов и визуализация границ в полупроводниковых материалах и эпитаксиальных структурах;
• технология газофазного осаждения диэлектрических слоев на основе кремния;
• технология эпитаксиального наращивания полупроводников A3B5;
• формирование нанопористых слоев оксида и нитрида кремния посредством вытравливания ионных треков;
• сканирующая электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия;
• фотолюминесценция;
• комбинационное рассеяние света в твердых телах.

• структурно-фазовые превращения в полупроводниках (кремний, соединения А3В5) и диэлектриках при термо- и радиационных воздействиях;
• ионно-лучевой синтез низкоразмерных структур в кремнии и диэлектриках на его основе;
• создание новых типов трековых мембран и нанокомпозитов на базе диоксида кремния;
• новые светоизлучающие и фоточувствительные материалы на кремниевой платформе для нано- и оптоэлектроники;
• эффект резистивного переключения и разработка ячеек энергонезависимой резистивной памяти нового поколения на основе структур «SiNx/SiO2/Si».

Имеет более 150 публикаций, в том числе 1 монографию, некоторые работы приведены ниже:

• A. N. Akimow, D. Jaworska, F. F. Komarow, L. A. Własukowa. Defekty i domieszki w arsenku galu. – Lublin, Poland: Wydawnictwo uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej, 2005. – 162 p.

• F. F. Komarov, P. I. Gaiduk, L. A. Vlasukova, A. Ju. Didyk, V. N. Yuvchenko. Track formation in germanium crystals irradiated with superhigh-energy ions // Vacuum. - 2003. – V. 70. – P. 75-79.

• F. F. Komarov, L. A. Vlasukova, V. N.Yuvchenko, T. V. Petlitzkaya, P. Zukowski. Peculiarities of the track formation in InP and GaAs crystals // Vacuum. - 2005. – V.78. – P. 353-359.

• F. F. Komarov, L.A. Vlasukova, V. N. Yuvchenko,A. Ju. Didyk, V. A. Skuratov. Ion Track Etching in Amorphous Silica // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. – 2006. – V. 70. – P. 910 – 913.

• A. Didyk, F. Komarov,_L. Vlasukova, V. Yuvchenko, Yu. Bogatyrev, F. Korshunov, E. Gracheva. Structure changes in InP and GaAs crystals double irradiated with electrons and swift heavy ions // Vacuum. - 2007. – V. 81. – P. 1175–1179.

• F. F. Komarov, A. V. Mudryi, L. A. Vlasukova, N. I. Mukhurov, A. V. Ivanyukovich. Intense Blue Luminescence of Anodic Aluminium Oxide // Optics and Spectroscopy. – 2008. – V. 104. – P. 235.

• F. Komarov, L. Vlasukova, W.Wesch, A. Kamarou, O. Milchanin, S. Grechnyi, A. Mudryi, A. Ivaniukovich. Formation of InAs nanocrystals in Si by high-fluence ion implantation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. – 2008. –Vol. B 266. – P. 3557 – 3564.

• F. F. Komarov, L. A. Vlasukova, P. V. Kuchinskyi, A. Yu. Didyk, V. A. Skuratov, N. A. Voronova. Etched track morphologyin SiO2 irradiated with swift heavy ions// Lithuanian Journal of Physics. – 2009. – Vol. 49, No. 1. – P.111-115.

• L. Vlasukova, F. F. Komarov, V. A. Skuratov, A. Yu. Didyk, V. N. Yuvchenko, D. V. Plyakin. Ion Tracks in Amorphous Silicon Nitride // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. – 2010. – V. 74. – P. 206 – 208.

• F. Komarov, L.Vlasukova, O. Milchanin, A. Mudryi, J.Zuk, K. Pyszniak, M. Kulik. Nanocrystal and dislocation-related luminescence in Si matrix with InAs nanocrystals// ACTA PHYSICA POLONICA A. – 2011. – V. 120, N1. – P.204 – 207.

• F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, A. Mudryi, B. Dunets, W. Wesch, and E. Wendler. Structure and optical properties of silicon layers with GaSb nanocrystals created by ion-beam synthesis // Phys. Status Solidi A, 2012. – V. 209. – P. 148 – 152.

• L. A. Vlasukova, F. F. Komarov, V. N. Yuvchenko, O. V. Mil’chanin, A. Yu. Didyk, V. A. Skuratov, S. B. Kislitsyn. A new nanoporous material based on amorphous silicon dioxide // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. – 2012. – V. 76. – P. 582 – 587.