Факультет радиофизики и компьютерных технологий

Дата рождения: 20 апреля 1981

Родился 20 апреля 1981 года. С 1998 по 2003 гг. студент факультета радиофизики и электроники БГУ. С 2003 по 2004 гг. магистрант кафедры физической электроники БГУ. В 2004 г. присвоена степень магистра. С 2004 по 2007 гг. аспирант кафедры физической электроники БГУ. С 2007 г. младший научный сотрудник кафедры физической электроники и нанотехнологий БГУ. С сентября 2014 г. – старший преподаватель.

Лекции для студентов 3-4 курсов:

• Микро- и наноэлектроника

• Электронные процессы в приборных структурах металл-окисел-полупроводник

• Материалы электронной техники, микро- и наноэлектроники

Лабораторные занятия по курсам для студентов 2-3 курсов:

«Физика полупроводников», «Физика полупроводниковых приборов», «Основы радиоэлектроники»

Лабораторные занятия по курсам для магистрантов «Физические основы нанотехнологий», «Наноматериалы в электронике, радиофизике и оптике».

Глава в монографии:

Structural changes in SiGe/Si layers induced by fast crystallization. In book: “Subsecond annealing of advanced materials. Annealing by lasers, flash lamps and swift heavy ions” / Eds. W. Skorupa and H. Schmidt. Spring Series in Materials Science, 2014. – V.192. – Chapter 5. – p. 79-105.

Глава в пособии:

Перспективные технологии в нано- и оптоэлектронике: пособие / А.А. Афоненко [и др.]. – Минск: БГУ, 2018. – 218 с.

Статьи в рецензируемых научных журналах:

Gaiduk, P.I., Kozjevko, A.N., Prokopjev, S.L., Tsamis, C., Larsen A.N. Structural and sensing properties of nanocrystalline SnO2 films deposited by spray pyrolysis from a SnCl2 precursor // Appl. Phys. A. – 2008. – Vol. A91. – P. 667-670.

Гайдук, П.И., Кожевко, А.Н., Прокопьев, С.Л., Структура и сенсорные свойства слоев SnO2, пиролитически осажденных из аэрозолей на основе SnCl2 // Электроника-инфо. – 2008. – № 2. – С. 54 -57.

Gaiduk, P.I. S.L.Prakopyeu, J.Lundsgaard Hansen, A.Nylandsted Larsen. Morphological properties of laser irradiated Si/Ge multilayers // Physica B. – 2009. – Vol. B404. – P. 4701-4704.

P.I. Gaiduk, S.L.Prakopyeu, V.A.Zajkov, G.D.Ivlev, E.I.Gatskevich. Laser-induced melting and recrystallization of CVD grown polycrystalline Si/SiGe/Ge layers // Physica B. – 2009. – Vol. B404. – P. 4708-4711.

В.А. Зайков, П.И. Гайдук, А.Г. Новиков, С.Л. Прокопьев, А.С. Турцевич, О.Ю. Наливайко, Е.Н. Пшеничный, В.Б. Карпович. «Формирование нанослоев Ge пиролизом моногермана при пониженном давлении» // Вестник БГУ, Серия 1, Физика математика информатика. – 2011. – №1. – С. 28-33.

Ивлев Г.Д., Казючиц Н.М., Прокопьев С.Л., Русецкий М.С., Гайдук П.И. Структура и фотопроводимость эпитаксиальных слоев SiGe/Si, модифицированных моноимпульсным лазерным облучением. // Письма в журнал технической физики. – 2014, выпуск 23. – С. 9 – 15.

P.I. Gaiduk, J.Chevallier, S.L.Prokopyev, A.Nylandsted Larsen. Plasmonic-based SnO2 gas sensor with in-void segregated silver nanoparticles // Microelectronic Engineering. – 2014. – Vol. 125. – P. 68–72.