Факультет радиофизики и компьютерных технологий

Родился 20 августа 1945 г. в д. Галузы Чаусского района Могилевской области в семье крестьян.

После окончания с отличием физико-математического факультета Могилевского государственного педагогического института с 1969 по 1971 гг. работал стажером-исследователем на физическом факультете БГУ. После окончания очной аспирантуры БГУ (1971 ‑ 1974 гг.) работал старшим научным сотрудником, а затем с 1975 г. ‑ заведующим лабораторией элионики Научно-исследовательского института прикладных физических проблем, с 1981 г. по 1992 г. − заместителем директора этого института по научной работе. С 1982 г. по настоящее время − заведующий лабораторией элионики НИИ ПФП им. А.Н. Севченко и по совместительству ‑ заведующий кафедрой физической электроники и нанотехнологий. В 1974 г. защитил кандидатскую, а в 1983 г. − докторскую диссертацию, в 1980 г. присвоено ученое звание доцента, а в 1984 г. − профессора, в 1996 г. выбран членом-корреспондентом Национальной Академии наук Беларуси. В 1998 г. стал Лауреатом Государственной премии Республики Беларусь в области науки и техники, в 2005 г. − Лауреатом премии им. А.Н.Севченко.

Создал и успешно развивает научную школу в области физики взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ионной имплантации, радиационной физики твердого тела, микро- и наноэлектроники, нанотехнологий, ионной и рентгеновской оптики. Внедрил в народное хозяйство более 50 научных разработок. Организовал и обеспечил плодотворное сотрудничество кафедры физической электроники и нанотехнологий и лаборатории элионики с Институтом физики твердого тела Йенского университета им. Ф.Шиллера (Германия), Институтом физики Орхусского университета (Дания), Институтом физики Университета им. М.Кюри-Склодовской в Люблине (Польша), Люблинским техническим университетом, Объединенным институтом ядерных исследований (Дубна), Национальным Казахским университетом им. аль-Фараби, Российским национальным центром «Курчатовский институт».

Ежегодно является членом международных оргкомитетов 7-8 научных конференций. Руководит работой Совета по защите докторских диссертаций в БГУ, сокоординатор Государственной программы научных исследований «Электроника и фотоника», член координационных советов ГПНИ «Конвергенция» и «Атомная энергетика, ядерные и радиационные технологии», член редколлегий 5 научных журналов. Подготовил 6 докторов наук и 30 кандидатов наук, включая специалистов высшей квалификации из Германии, Польши, Вьетнама и Казахстана.

• Физические основы ионно-фотонной обработки материалов

• Ионно-фотонные процессы в наноэлектронике

Опубликовал более 400 научных и обзорных статей в Международных журналах, издал 17 монографий, 5 из которых переизданы в США и 2 в Польше. Получено 44 патента и авторских свидетельства на изобретения.

Презентации лекций:

• Ф.Ф.Комаров, О.В. Мильчанин, А.М. Миронов, Формирование водородно-индуцированных дефектов и их применение в технологиях микро- и оптоэлектроники

• Ф.Ф.Комаров, О.В. Мильчанин, Дефекто-примеснаяинженерия в ионно-имплантированном кремнии

• Ф.Ф.Комаров, Физические основы ионно-лучевого легирования материалов

• Ф.Ф.Комаров, Трекообразование в твердых телах при облучении ионами высоких энергий. Трековая наноэлектроника и другие применения треков

Монографии:

• Ф.Ф.Комаров, М.А.Кумахов. Энергетические потери и пробеги ионов втвердых телах. Мн., изд-воБелгосуниверситета,1979, 320 с. (translated by Gordon and Breach, New York-London-Paris,1981, 296 pp.)

• Ф.Ф.Комаров, М.А.Кумахов, А.Ф.Буренков, М.М.Темкин. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Мн., изд-воБелгосуниверситета,1980, 350 с. (translated by Gordon and Breach, New York-London-Paris,1986,462 pp.)

• Ф.Ф.Комаров, М.А.Кумахов. Излучение заряженных частиц в твердых телах. Мн., изд-воБелгосуниверситета,1985, 382 с. (translated by American Institute of physics, New York,1989, 305 pp.)

• Ф.Ф.Комаров, М.А.Кумахов, А.Ф.Буренков. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М., Энергоатомиздат,1985, 214 с.

• Ф.Ф.Комаров, М.А.Кумахов, И.С.Ташлыков. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Мн., изд-во Университетское,1987, 256 с. (translated by Gordon and Breach, NY-L-P,1989, 225 pp.)

• Ф.Ф.Комаров, А.П.Новиков, В.С.Соловьев, С.Ю.Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Мн., изд-во Университетское,1989, 356 с.

• Ф.Ф.Комаров. Ионная имплантация в металлы. М., изд-воМеталлургия,1989, 216 с. (translated by Gordon and Breach, NY1992, 249 pp.)

• Ф.Ф.Комаров, А.Ф.Буренков, А.П.Новиков. Ионная имплантация. Мн., изд-во Университетское, 1994, 415 с. - Ф.Ф.Комаров. Ионная и фотонная обработка материалов.Мн., изд-во «ВУЗ-ЮНИТИ»1998, 210 с.

• Ф.Ф.Комаров, В.М.Борздов. Моделирование электрофизических свойств твердотельных слоистых структур интегральной электроники. Мн.: БГУ, 1999, 235 с.

• Ф.Ф.Комаров, А.Ф.Комаров. Физические процессы при ионной имплантации в твердые тела.Мн., изд-во «Технопринт», 2001, 393 с.

• P.Zwkowski, F.Komarov, Cz.Karwat, A.Komarov. Wybranezagadnieniateoriiizastosowanimplantacjijonowej. Politechnika Lubelska, Wydawnictwa Uczelniane, Lublin, 2003, 190 pp.

• A.N.Akimov, D.Jaworska, F.F.Komarov, L.A.Vlasukova. Defekty idomeszkiwarsenkugalu.M.Curie-Sklodowska Univer., Lublin, 2005, 176 pp.

• Ф.Ф.Комаров,К.К.Кадыржанов, А.Д.Погребняк, В.С.Русаков, Т.Э.Туркобаев. Ионно-лучевая и ионно-плазменная модификация материалов.М., изд-во МГУ, 2005, 672 с.

• В.М.Борздов, О.Г.Жевняк, Ф.Ф.Комаров, В.О.Галенчик. Моделирование методом Монте-Карло приборных структур интегральной электроники. Минск, БГУ, 2007, 175 с.

• Ф.Ф.Комаров, А.В.Леонтьев. Ионная имплантация диэлектриков. Монография, БГУ, Минск, 2010, 191 с.

• Н.А.Воронова, Н.К.Ердыбаева, Ф.Ф.Комаров, А.А.Купчишин, А.И.Купчишин, С.В.Плотников, А.Д.Погребняк, А.К.Тагамбаева, Т.А.Шмыгалева. Моделирование на ЭВМ и экспериментальные исследования радиационных процессов в железе и твердых сплавах. Монография, Алматы, ТОО «КАМА», КазНПУ им. Абая, 2010, 269 с.

Учебные пособия

• Ф.Ф.Комаров. Ионная и фотонная обработка материалов. «ВУЗ-ЮНИТИ», 1998, 209 с.

• А.Н.Акимов, Л.А.Власукова, Ф.Ф.Комаров. Дефектно-примесный состав арсенида галлия и методы его анализа. Изд-во БГУ, 1999, 80 с.

• А.П.Бурмаков, П.И.Гайдук, Ф.Ф.Комаров, А.В.Леонтьев. Физические основы технологии микроэлектроники. Изд-во БГУ, 2002, 195 с.

• П.И.Гайдук, Ф.Ф.Комаров, О.Р.Людчик, А.В.Леонтьев. Материалы микро- и наноэлектроники. Изд-во БГУ, 2009, 159 с.

• В.М.Береснев, Ф.Ф.Комаров, А.И.Купчишин, А.Д.Погребняк, М.К.Калышканов. Наноматериалы, нанопокрытия, нанотехнологии. Учебное пособие. Усть-Каменогорск, Восточно-Казахстанский Региональный Университет, 2010, 157 с.