Факультет радиофизики и компьютерных технологий

Окончил физический факультет Белгосуниверситета в 1980 г., аспирантуру на кафедре физики твердого тела БГУ в 1984 г. С 1982 по 1994 г. - инженер, младший научный сотрудник, научный сотрудник и старший научный сотрудник НИИ ПФП БГУ. С 1994 г. - на кафедре физической электроники БГУ в должности доцента (1994-2005 г.г.) и профессора (2005 – по наст. время). Стажировался в университете Орхуса (Дания) -1988, 1997, 2000-2002.

В 1986 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Структурные превращения и поведение примеси в импульсноотожженных имплантационных слоях кремния».

В 2005 г. защитил докторскую диссертацию на тему «Процессы формирования низкоразмерных структур в материалах твердотельной электроники при ионно-лучевых воздействиях».

Ученый секретарь Совета Д02.01.16 по защите докторских диссертаций.

Член совета по проведению экспертизы научно-исследовательских, опытно-конструкторских и опытно-технологических работ Министерства образования РБ.

Рецензент научных рукописей в международных журналах Physical Review, Nuclear Instruments and Methods, Physica, Vacuum и др.

• Физика полупроводников

• Физические основы хранения и обработки информации

• Технология СБИС

• Перспективные технологии микро- и нано-электроники

Более 350 научных работ, в том числе более 130 статей опубликовано в научных журналах, практикующих рецензирование рукописей.

Основные публикации в журналах с высоким impact-фактором:

• P.I.Gaiduk and A.Nylandsted Larsen. Secondary defect evolution in ion-implanted silicon. // J.Appl.Phys. 1990, V.68, P.5081-5089.

• O.Herre, W.Wesch, E.Wendler, P.I.Gaiduk, F.F.Komarov, S.Klaumunzer, and P.Meier Formation of discontinuous tracks in single-crystalline InP by 250-MeV Xe-ion irradiation. // Physical Review B1998 V. 58, P. 4832-4837.

• J. Fage-Pedersen, A. Nylandsted Larsen, P. Gaiduk, J. Lundsgaard Hansen and M. Linnarsson. Sn-Background-Induced Diffusion Enhancement of Sb in Si. // Physical Review Letters. 1998, V.81 P.5856-5859.

• P.I.Gaiduk, J.Fage-Pedersen, J.Lundsgaard Hansen, and A.Nylandsted Larsen. Sb-precipitation induced injection of Si-self interstitials in Si.// Physical Review B, 1999, V.59, P.7278-7281.

• P.I. Gaiduk, F.F. Komarov, V.S.Tishkov, W. Wesch and E. Wendler. Wurtzite InP formation during swift Xe ion irradiation.// Physical Review B, 2000, V. 61, № 23, P. 15785-15788.

• P.I.Gaiduk, A.Nylandsted Larsen, and J.Lundsgaard Hansen. Defect-free MBE growth in SiGe/Si heteroepitaxial structures.// Thin Solid Films, 2000, v.367, N 1-2, p.120-125.

• P. I. Gaiduk, A. Nylandsted Larsen, C Trautmann, and M. Toulemonde. Discontinuous tracks in arsenic-doped crystalline Si0.5Ge0.5 alloy layers.// Physical Review B 66, 045316(1-5) (2002)

• A. Kanjilal, J. Lundsgaard Hansen, P.I. Gaiduk et al. Structural and electrical properties of silicon dioxide layers with embedded germanium nanocrystals grown by molecular-beam epitaxy.// Appl.Phys.Lett. 82, (2003) 1212-1214.

• P.I. Gaiduk, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen and E. A. Steinman. Nanovoids in MBE grown SiGe alloys in-situ implanted with Ge+ ions.// Physical Review B 67 (2003) 235310

• P.I. Gaiduk, J. Lundsgaard Hansen, A. Nylandsted Larsen, E. Wendler and W. WeschSelf assembling of nanovoids in 800 keV Ge implanted Si/SiGe multi-layered structure.// Physical Review B67 (2003) 235311.

• P.I.Gaiduk, J.Lundsgaard Hansen and A.Nylandsted Larsen.Synthesis and analysis of hollow SnO2 nanoislands// Appl. Phys. Lett., 2008, Vol. 92, p. 193112-1-3

• P.I.Gaiduk. Extended defects in ion assisted MBE grown SiGe/Si-nanostructures.// Phys. Status Solidi C. 2009, V. 6, No 8, pp. 1922-1926.

• M.M.Kjeldsen, J.L.Hansen, T.G.Pedersen, P.I.Gaiduk, A.N.Larsen Tuning the plasmon resonance of metallic tin nanocrystals in Si-based materials // Applied Physics A (2010) V.100, pp. 31-37