Факультет радиофизики и компьютерных технологий

В 2003 г. закончил факультет радиофизики и электроники Белорусского государственного университета с отличием. В 2006 г. закончил аспирантуру БГУ. С 2011 г является старшим научным сотрудником НИЛ материалов и приборных структур микро- и наноэлектроники кафедры физической электроники и нанотехнологий БГУ.

24.12.2010 г. защитил диссертацию на тему «Моделирование электрофизических свойств полупроводниковых структур с низкоразмерным электронным газом».

Является автором более 50 научных работ.

• Borzdov A.V., Pozdnyakov D.V., Galenchik V.O., Borzdov V.M., Komarov F.F. Self-consistent calculations of phonon scattering rates in the GaAs transistor structure with one-dimensional electron gas // Phys. Status Solidi (b). — 2005. — Vol.242, No.15. — P. R134–R136.

• Pozdnyakov D.V., Galenchik V.O., Borzdov A.V. Electron scattering in thin GaAs quantum wires // Phys. Low-Dim. Struct. — 2006. — No.2. — P. 87–90.

• Борздов А.В., Борздов В.М., Галенчик В.О., Жевняк О.Г., Комаров Ф.Ф. Моделирование переноса электронов в транзисторе на гетероструктуре GaAs/AlxGa1-xAs // Весцi НАНБ. Сер. физ.-тэхн. навук. — 2006. — №1. — С. 112–117.

• Борздов А.В., Поздняков Д.В.Рассеяние электронов в транзисторной структуре GaAs/AlAs// ФТТ. — 2007. — Т. 49, вып. 5. — С. 913–916.

• Pozdnyakov D., Galenchik V., Borzdov A., Borzdov V., Komarov F. Influence of scattering processes on electron quantum states in nanowires // Nanoscale Res. Lett. — 2007. — Vol.2, No.4. — P. 213–218.

• Жевняк О.Г., Борздов В.М., Борздов А.В., Поздняков Д.В., Комаров Ф.Ф. Моделирование электронного переноса в КНИ-МОП-транзисторах на основе метода Монте-Карло // Доклады НАНБ. — 2008. — Т. 52, № 1. — С. 58–60.

• Борздов А.В.,Поздняков Д.В., Борздов В.М., Орликовский А.А., Вьюрков В.В. Моделирование влияния поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в GaAs квантовой проволоке // Микроэлектроника. — 2010. — Т. 39, № 6. — С. 436–442.

• Сперанский Д.С., Борздов А.В., Борздов В.М., Комаров Ф.Ф.. Эффективная пороговая энергия ударной ионизации в глубоко субмикронном МОП-транзисторе с длиной канала 50 нм // Доклады НАНБ. — 2011. — Т. 55, № 4. — С. 45–48.